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| IRL 80 A GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter IRL 80 A Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich q Klares Miniaturkunststoffgehause, seitliche Abstrahlung q Preiswertes Kunststoffgehause q Lange Lebensdauer (Langzeitstabilitat) q Weiter Offnungskegel ( 30) q Passend zu Fototransistor LPT 80 A Anwendungen q Fertigungs- und Kontrollanwendungen Features q GaAs infrared emitting diode q Clear plastic package with lateral emission q Low cost plastic package q Long term stability q Wide beam ( 30) q Matches phototransistor LPT 80 A Applications q For a variety of manufacturing and der Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern q Lichtschranken monitoring applications which require beam interruption q Light barriers Typ Type IRL 80 A Bestellnummer Ordering Code Q68000-A7851 Semiconductor Group 1 10.95 feo06461 IRL 80 A Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur Lotstelle 0.15 cm vom Gehause, Lotzeit t = 5 s Sodering temperature, 0.15 mm distance from case bottom, soldering time t = 5 s Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Verlustleistung Power dissipation Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 C Derate above, TA > 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 240 Einheit Unit C C Top; Tstg TS VR IF Ptot 3 60 100 1.33 V mA mW mW/C K/W RthJA 750 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung bei Imax Wavelength of peak emission Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax Abstrahlwinkel Half angle Durchlaspannung, IF = 20 mA Forward voltage Strahlstarke1), IF = 20 mA Radiant intensity 1) 1) Symbol Symbol peak Wert Value 950 20 30 1.5 0.4 Einheit Unit nm nm Grad deg. V mW/sr VF Ie Ein Silizium-Empfanger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Flache wird nach der mechanischen Achse ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet. A 1 cm2 silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used. Semiconductor Group 2 IRL 80 A Relative spectral emission Srel = f () Directional characteristics Irel = f () Semiconductor Group 3 |
Price & Availability of Q68000-A7851
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